岛津高能Ag靶在GaN半导体材料表征中的应用

2019年4月17日

本文分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源表征GaN半导体材料,可以得到三种靶材时的各元素精细谱结果,单色Ag靶作为激发源时可以使Ga LMM俄歇峰与N 1s主峰有效分离,得到准确的化学态分析结果。

内容类型:
应用报告
文章编号:
XPS-004
产品类型:
X射线光电子能谱仪
关键字:
高能Ag靶;双阳极Mg靶;单色Al靶;XPS;化学态分析
语言:
中文
文件名:
AP_News_XPS-004.pdf
更新时间:
2019年04月17日

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