硅圆上二氧化硅(SiO2)薄膜分析(FTIR)

硅片上四种不同厚度的二氧化硅(SiO2 )薄膜(0.4, 0.8, 1.3, 4.2 nm)由傅立叶变换红外光谱仪进行分析。

随着氧化层厚度的降低,1,250 cm-1和1,065 cm-1附近的峰值向低波数方向移动。

为了测定薄膜厚度与峰值强度的关系,纵轴为峰值高度,横值为薄膜厚度。

傅立叶变换红外光谱仪

傅立叶变换红外光谱仪主要用于测定有机化合物的结构。仪器发出红外光,照射到到分子上,分子吸收红外辐射,该辐射能量等同于组成这些分子的原子间振动的能量。然后根据这些红外吸收来预测化合物结构以及对化合物进行定量分析。